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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
稳压二管(又叫齐纳二管)，此二管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压二管在电路中常用“ZD”加数字表示，如:ZD5表示编号为5的稳压管。稳压二管的稳压原理:稳压二管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。故障特点:稳压二管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。
晶体三管是半导体的基本元件之一。它具有电流放大功能，是电子电路的核心部件。三管是由两个彼此接近的PN结在半导体基片上制成的。两个PN结将大块半导体分为三部分，中间部分为基区，两侧为发射区和集电区，排列为PNP和NPN。晶体管在电路中经常用“q“加上数字来表示。晶体管是一种的器件，它含有两个PN结，具有放大能力。场效应晶体管缩写为FET。导体涉及多数传导，也称为单晶体管。它属于压控半导体器件。它具有高输入电阻（108~109Ω），低噪声，低功耗，动态范围大，易于集成，无二次击穿，宽工作区等。它已成为功能强大的双晶体管和功率晶体管。竞争者。
开关电路:三管在电路中通常用做电子开关。在开关状态下的三管处于饱和(导通)状态和截止状态。三管放大工作状态下各电电压电流的变化关系:对于NPN型管:Vb↑--Ib↑--Ic↑--Vc↓--Ie↑--Ve↑;Vb↓--Ib↓--Ic↓--Vc↑--Ie↓--Ve↓对于PNP型管:Vb↑--Ib↓--Ic↓--Ve↑--Ic↓--Vc↓;Vb↓--Ib↑--Ic↑--Ve↓--Ic↑--Vc↑