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  在半导体表面的垂直方向上加一电场时,则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动,半导体表面发生载流子的重新分布,因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变,即改变外加电压的大小和方向,可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型,或控制PN结空间电荷区的宽度,这种现象称半导体的场效应。

  丝印工艺现在的ic大厂早已淘汰,但很多芯片翻新因成本原因仍用丝印工艺,这也是判断依据之一,丝印的字会略微高于芯片表面,用手摸可以感觉到细微的不平或有发涩的感觉。不过,近来用激光打标机修改芯片标记的现象越来越多,是在内存及一些高端芯片方面,一旦发现激光印字的位置存在个别字母不齐、笔画粗细不均的,可以认定是翻新的。主要的方法是看整体的协调性,字迹与背景、引脚的新旧程度不符如字标过新、过清有问题的可能性也较大,但不少小厂是国内的某些小ic公司的芯片却生来如此,这为鉴定增添了不少麻烦,但对主流大厂芯片的判断此法还是很有意义的。

  光电二管:和普通二管一样,也是由一个PN结组成的半导体器件,也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件,而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。双向触发二管:具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ,在电路中作过压保护定时、移相、调速、调光等用途。测量双向触发二管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0,则说明该二管已击穿损坏。

  电位器:是阻值可以调整的电阻器,用“W或RP”表示;有旋转式、直滑式、带开关式;用万用表电阻挡测旁边两脚得实际阻值,分别测中间脚与旁边两脚,均匀调动转轴,表针均匀摆动无跳动为好;按“左入右地中间出” 接线;接触不良用无水酒精清洗即可。电容器 代号:C电容器是一种容纳贮存电荷的器件,简称电容。电路中一般用“C”加数字表示。分无和有两类,有新电容长脚为正、短脚为负。特性:隔直流电通交流电。

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