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单向可控硅 代号:BCR是一种半导体元器件又称晶体闸流管，单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二管相比，单向可控硅正向导通受控制电流控制;可控硅对控制电流没有放大作用。作用:整流、稳压、开关等作用。好坏判别:用万用表R×1K挡对换表笔测、AG正反向阻值均为∞，测GK正向阻值3—9K，反向阻值∞为好管。电判别:用万用表R×1K挡对换表笔测GK，正向阻值3—9K时，黑表笔接的一端为G(控制)，红表笔接的一端为K(阴)，另一端为A(阳)。
晶体三管在电路中常用“Q”加数字表示，如:Q17表示编号为17的三管。特点:晶体三管（简称三管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高 （108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、工作区域宽等优点，现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
辨认法子:电容的识别办法与电阻的识别办法根底沟通，分直标法、标法与数标法3种。电容的根蒂根基单元用法拉(F)体现，别的单元另有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。此中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接疏解，如10 uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母展现或数字泄漏表现字母显现法:1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字显露法:一样平经常使用三位数字泄漏表现容量大小，前两位显示有用数字，第三位数字是倍率。如:102表现10×102PF=1000PF 224显示22×104PF=0.22 uF3、电容容量短处表符 号 F G J K L M核准坏处 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%如:一瓷片电容为104J显示容量为0. 1 uF、弊端为±5%。各种类型的电阻器在电子设备中得到广泛的应用，据统计，在一般电子产品中，电阻器约占元器件总数的40%，由此可见，掌握各种电阻器的基本特性和正确使用电阻器是至关重要的。它们被用来作为分压、分流、限流电阻、电路的负载、电路中的衰减元件、RC型回路元件等。