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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
负载---就是用电器。在电路中使用电能的各种设备统称为负载。击穿---缘物质在电场的作用下发生剧烈放电或导电的现象叫击穿。电气连接--- 导体与导体之间直接提供电气通路的连接(接触电阻近于零)。电感----自感与互感的统称。脉动电流----大小间变化而方向不变的电流，叫做脉动电流。振幅----交变电流在一个周期内出现的大值叫振幅。三管放大电路的基本原理如下图以NPN管为例，我们把从基B流至发射E的电流叫做基电流Ib;把从集电C流至发射E的电流叫做集电电流Ic。这两个电流的方向都是流出发射的，所以发射E上就用了一个箭头来表示电流的方向。
耐压:表示容量在长期工作过程中能接受的高电压值，单位:伏特(V)。代换电容时，容量一般上要相同，耐压要≥电源电压的1.414倍。容量:容量的大小就是表示能贮存电能的大小;电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)。容量单位:法拉(F)表示、毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。
场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双型器件。有些场效应管的源和漏可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。传感器(Sensor)是能感受规定的被测量并按照一定规律转换成可用输出信号的器件或装置，通常由敏感元件和转换元件组成。