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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
作用:放大(电压电流)、稳压、开关、振荡等作用。基判别:用万用表R×1KΩ挡一支表笔固定某一，另一支表笔去测另外两，测量得两次阻值都比较小(3—9K)时，固定表笔接的脚就是基;型号判别:根据测量得基时固定表笔的颜，若测量得基时固定表笔的颜为红表笔，则该管为PNP型;若测量得基时固定表笔的颜为黑表笔，则该管为NPN型。发射判别:用万用表R×10KΩ挡对换表笔去测另外两，以测量得次阻值小的一次为准(30K以上);PNP型管红表笔接的脚就是E“小红发”;NPN型管黑表笔接的脚就是E“小黑发”;另一管脚为C。
1 F =1000 mF 1 F mF =1000 uF 1 uF =1000 nF 1 nF =1000 pF容量允许误差标示:符 号 F±1% ; G±2%; J ±5%;K ±10%;L±15% M±20%如:一瓷片电容为104J表示 容量为0. 1 uF、误 差为±5%。识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、标法和数标法3种。容量大的电容其容量值在电容上直接标明;如10 uF/16V
高反向工作电压，加在二管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了使用，规定了高反向工作电压值。反向电流是指二管在规定的温度和高反向电压作用下，流过二管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。晶体三管在电路中具有放大作用和开关作用。我们使用晶体三管在电路中放大微弱的信号电流或制成自动开关，控制用电器的通断。晶体三管在电路中常用“q”加数字表示，如:q1表示编号为1的三管。