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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
可见，在整个v1周期内，流过二管的电流iV1、iV2叠加形成全波脉动直流电流iL，于是RL两端产生全波脉动直流电压vL。故电路称为全波整流电路。。全波整流电路，可以看作是由两个半波整流电路组合成的。变压器次级线圈中间需要引出一个抽头，把次组线圈分成两个对称的绕组，从而引出大小相等但性相反的两个电压e2这种电路中，每只整流二管承受的大反向电压，是变压器次级电压大值的两倍，因此需用能承受较高电压的二管。
场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双型器件。有些场效应管的源和漏可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。传感器(Sensor)是能感受规定的被测量并按照一定规律转换成可用输出信号的器件或装置，通常由敏感元件和转换元件组成。
高反向工作电压，加在二管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了使用，规定了高反向工作电压值。反向电流是指二管在规定的温度和高反向电压作用下，流过二管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。晶体三管在电路中具有放大作用和开关作用。我们使用晶体三管在电路中放大微弱的信号电流或制成自动开关，控制用电器的通断。晶体三管在电路中常用“q”加数字表示，如:q1表示编号为1的三管。