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  工作原理;可控硅导通条件:一是可控硅阳与阴间加正向电压,二是控制也要加正向电压。以上两个条件,同时具备,可控硅才会处于导通状态。可控硅一旦导通后,即使降低控制电压或去掉控制电压,可控硅仍然导通。可控硅关断条件:降低或去掉加在可控硅阳至阴之间的正向电压,使阳电流小于小维持电流以下。双向可控硅: 代号:SCR双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅,是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电的半导体器件。由于主电的构造是对称的(都从N层引出),所以它的电不像单向可控硅那样分别叫阳和阴,而是把与控制相近的叫做电A1,另一个叫做第二电A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时,硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置,采取相应的保护措施。

  发光二管:它是半导体二管的一种,可以把电能转化成光能;代号LED;也具有单向导电性,反向击穿电压约5伏,使用时串联限流电阻以控制通过管子的电流。限流电阻R可用下式计算: R=(E-UF)/IF 式中E为电源电压,UF为LED的正向压降,IF为LED的一般工作电流。LED使用低压电源,供电电压在6-24V之间,消耗能量较同光效的白炽灯减少80%;使用10万小时后,光衰为初始的50%。

  半导体二极管是由一个PN结焊上两根电极引线,再加上外壳封装而构成的。二极管的单向导电特性可用伏-安特性曲线表示。半导体二极管种类很多,按材料分有锗二极管,硅二极管和砷化镓二极管等;按结构分有点接触二极管和面接触二极管;按工作原理分隧道二极管,雪崩二极管,变容二极管等;按用途分有检波二极管,整流二极管,开关二极管等。

  丝印工艺现在的ic大厂早已淘汰,但很多芯片翻新因成本原因仍用丝印工艺,这也是判断依据之一,丝印的字会略微高于芯片表面,用手摸可以感觉到细微的不平或有发涩的感觉。不过,近来用激光打标机修改芯片标记的现象越来越多,是在内存及一些高端芯片方面,一旦发现激光印字的位置存在个别字母不齐、笔画粗细不均的,可以认定是翻新的。主要的方法是看整体的协调性,字迹与背景、引脚的新旧程度不符如字标过新、过清有问题的可能性也较大,但不少小厂是国内的某些小ic公司的芯片却生来如此,这为鉴定增添了不少麻烦,但对主流大厂芯片的判断此法还是很有意义的。

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