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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
辨认法子:电容的识别办法与电阻的识别办法根底沟通，分直标法、标法与数标法3种。电容的根蒂根基单元用法拉(F)体现，别的单元另有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。此中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接疏解，如10 uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母展现或数字泄漏表现字母显现法:1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字显露法:一样平经常使用三位数字泄漏表现容量大小，前两位显示有用数字，第三位数字是倍率。如:102表现10×102PF=1000PF 224显示22×104PF=0.22 uF3、电容容量短处表符 号 F G J K L M核准坏处 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%如:一瓷片电容为104J显示容量为0. 1 uF、弊端为±5%。
电容通常由电路中的“C”加数字表示。电容是由两个相互接近的金属薄膜组成的元件，由缘材料隔开。电容的主要特点是与直流和交流相分离。电容容量是能够存储电能的大小。电容对交流信号的阻碍称为电容电抗，它与交流信号的频率和电容有关。电话中常用的电容器类型有电解电容器、陶瓷电容器、贴片电容器、单片电容器、钽电容器和聚酯电容器。固态电子装置中的半导体端子装置。这些器件的主要特点是具有非线性电流电压特性。此后，随着半导体材料和工艺技术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布和几何结构，开发了多种结构多样、功能用途不同的晶体二管。制造材料包括锗、硅和化合物半导体。晶体二管可用于产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。
耐压:表示容量在长期工作过程中能接受的高电压值，单位:伏特(V)。代换电容时，容量一般上要相同，耐压要≥电源电压的1.414倍。容量:容量的大小就是表示能贮存电能的大小;电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)。容量单位:法拉(F)表示、毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。