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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
三管的放大作用就是:集电电流受基电流的控制(假设电源能够提供给集电大的电流)，并且基电流很小的变化，会引起集电电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系:集电电流的变化量是基电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十，几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基跟发射之间，这就会引起基电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式U=R*I可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。
变压器中心抽头式单相全波整流电路如图1.2.2所示。V1、V2为性能相同的整流二管,V1的阳连接A点，V2的阳连接B点;T为电源变压器，作用是产生大小相等而相位相反的v2a和v2b。设v1为正半周时，图中A端为正，B端为负，则A端电位高于中心抽头C处电位，且C处电位又高于B端电位。二管V1导通，V2截止，电流iV1自A端经二管V1自上而下流过RL到变压器中心抽头C处;当v1为负半周时，B端为正、A端为负，则B端电位高于中心抽头C处电位，且C处电位又高于A端电位。二管V2导通，V1截止，电流iV2自B端经二管V2，也自上而下流过负载RL到C处，iV1和iV2叠加形成全波脉动直流电流iL，在RL两端产生全波脉动直流电压vL。
桥式整流电路是使用多的一种整流电路。这种电路，只要增加两只二管口连接成"桥"式结构，便具有全波整流电路的优点，而同时在一定程度上克服了它的缺点。桥式整流电路的工作原理如下:e2为正半周时，对D1、D3和方向电压，Dl，D3导通;对D2、D4加反向电压，D2、D4截止。电路中构成e2、Dl、Rfz 、D3通电回路，在Rfz ，上形成上正下负的半波整洗电压，e2为负半周时，对D2、D4加正向电压，D2、D4导通;对D1、D3加反向电压，D1、D3截止。电路中构成e2、D2、Rfz、D4通电回路，同样在Rfz 上形成上正下负的另外半波的整流电压。如此重复下去，结果在Rfz ，上便得到全波整流电压。其波形图和全波整流波形图是一样的。从图5-6中还不难看出，桥式电路中每只二管承受的反向电压等于变压器次级电压的大值，比全波整流电路小一半!