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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
晶体三管在电路中常用“Q”加数字表示，如:Q17表示编号为17的三管。特点:晶体三管（简称三管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高 （108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、工作区域宽等优点，现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。场效应管分成结型和缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。场效应管与晶体管的比较场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。