宁夏上门回收通信IC整厂收购
在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
作用:放大(电压电流)、稳压、开关、振荡等作用。基判别:用万用表R×1KΩ挡一支表笔固定某一，另一支表笔去测另外两，测量得两次阻值都比较小(3—9K)时，固定表笔接的脚就是基;型号判别:根据测量得基时固定表笔的颜，若测量得基时固定表笔的颜为红表笔，则该管为PNP型;若测量得基时固定表笔的颜为黑表笔，则该管为NPN型。发射判别:用万用表R×10KΩ挡对换表笔去测另外两，以测量得次阻值小的一次为准(30K以上);PNP型管红表笔接的脚就是E“小红发”;NPN型管黑表笔接的脚就是E“小黑发”;另一管脚为C。
工作原理;可控硅导通条件:一是可控硅阳与阴间加正向电压，二是控制也要加正向电压。以上两个条件，同时具备，可控硅才会处于导通状态。可控硅一旦导通后，即使降低控制电压或去掉控制电压，可控硅仍然导通。可控硅关断条件:降低或去掉加在可控硅阳至阴之间的正向电压，使阳电流小于小维持电流以下。双向可控硅: 代号:SCR双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电的半导体器件。由于主电的构造是对称的(都从N层引出)，所以它的电不像单向可控硅那样分别叫阳和阴，而是把与控制相近的叫做电A1，另一个叫做第二电A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时，硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置，采取相应的保护措施。
用于倍压整流电路的二管，其高反向电压应大于 。可用高压硅整流堆，其系列型号为2DL。如2DL2/0.2，表示高反向电压为2千伏，整流电流平均值为200毫安。倍压整流电路使用的电容器容量比较小，不用电解电容器。电容器的耐压值要大于1.5x ，在使用上才。后向调整电路(稳压电路)输送一个不稳定的脉动的直流电压ui。因ui或稳压电路输出电流 I0的变动而引起输出电压u0变化时,调整电路使u0保持原值或者只有小的变动。调整电路中的调整管工作在线性放大区的称为线性电源，工作在非线性区的则称为开关电源。线性电源分为简单稳压电路、并联稳压电路、串联稳压电路和集成化稳压电路。