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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
母线的相序排列:(观察者从设备正面所见)原则如下:从左到右排列时，左侧为A相，中间为B相，右侧为C相。 从上到下排列时，上侧为A相，中间为B相，下侧为C相。 从远至近排列时，远为A相，中间为B相，近为C相。涂:A-黄，B-绿，C-红，中性线不接地紫，正-褚，负-兰，接地线-黑。直流电:用“DC”或“━”表示。是指方向和时间不作周期性变化的电流，但电流大小可能不固定，而产生波形。电荷从高电势(+)处流向低电势处(-)，所通过的电路称直流电路，是由直流电源和电阻构成的闭合导电回路。直流电源有化学电池，燃料电池，温差电池，太阳能电池，直流发电机等。
工作原理;可控硅导通条件:一是可控硅阳与阴间加正向电压，二是控制也要加正向电压。以上两个条件，同时具备，可控硅才会处于导通状态。可控硅一旦导通后，即使降低控制电压或去掉控制电压，可控硅仍然导通。可控硅关断条件:降低或去掉加在可控硅阳至阴之间的正向电压，使阳电流小于小维持电流以下。双向可控硅: 代号:SCR双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电的半导体器件。由于主电的构造是对称的(都从N层引出)，所以它的电不像单向可控硅那样分别叫阳和阴，而是把与控制相近的叫做电A1，另一个叫做第二电A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时，硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置，采取相应的保护措施。
稳压二管(又叫齐纳二管)，此二管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压二管在电路中常用“ZD”加数字表示，如:ZD5表示编号为5的稳压管。稳压二管的稳压原理:稳压二管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。故障特点:稳压二管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。