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电感的基本单位为:亨（H） 换算单位有:1H=103mH=106uH。变容二管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二管"。是一种利用PN结电容（势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二管。管变容二管是根据普通二管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种二管。晶体三管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
102表示前两位数“10”组成10，后一位数“2”表示在10后补二个“0”，得到的数为1000就是容量1000PF数字表示法:标示为小数的或标示为一位或两位整数或三位整数个为0的，标示数就是容量值;标示小数的容量单位为uF;标示整数的容量单位为PF;标不标示耐压的耐压为500V。如:标示0.1=.01uF;标示12=12PF。电感线圈是将缘的导线在缘的骨架上绕一定的圈数制成，有的还加上磁芯或铁芯材料，通电后产生电感量，是能够把电能转化为磁能而存储起来的元件，又称扼流器、电抗器、动态电抗器。在电路中常用“L”加数字表示，如:L6表示编号为6的电感。
半导体二极管是由一个PN结焊上两根电极引线，再加上外壳封装而构成的。二极管的单向导电特性可用伏-安特性曲线表示。半导体二极管种类很多，按材料分有锗二极管，硅二极管和砷化镓二极管等；按结构分有点接触二极管和面接触二极管；按工作原理分隧道二极管，雪崩二极管，变容二极管等；按用途分有检波二极管，整流二极管，开关二极管等。
晶体二管（crystaldiode）固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是具有非线性的电流-电压特性。此后随着半导体材料和工艺技 术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构，研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。晶体二管在电路中常用“D”加数字表示，如: D5表示编号为5的二管。