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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
直标法:容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如2200uf/10v字母表示法:152m=1500pf数字表示法:一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。如:102表示10×102pf=1000pf允许误差分三级，同于电阻器误差的表示方法。微调电容器和可变电容器标出了它的电容量的小值和大值，如7／270p电感线圈是将缘的导线在缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。
变压器中心抽头式单相全波整流电路如图1.2.2所示。V1、V2为性能相同的整流二管,V1的阳连接A点，V2的阳连接B点;T为电源变压器，作用是产生大小相等而相位相反的v2a和v2b。设v1为正半周时，图中A端为正，B端为负，则A端电位高于中心抽头C处电位，且C处电位又高于B端电位。二管V1导通，V2截止，电流iV1自A端经二管V1自上而下流过RL到变压器中心抽头C处;当v1为负半周时，B端为正、A端为负，则B端电位高于中心抽头C处电位，且C处电位又高于A端电位。二管V2导通，V1截止，电流iV2自B端经二管V2，也自上而下流过负载RL到C处，iV1和iV2叠加形成全波脉动直流电流iL，在RL两端产生全波脉动直流电压vL。
晶体二管（crystaldiode）固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是具有非线性的电流-电压特性。此后随着半导体材料和工艺技 术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构，研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。晶体二管在电路中常用“D”加数字表示，如: D5表示编号为5的二管。