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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
有源器件自身也消耗电能，大功率的有源器件通常加有散热器。与无源元件相对应的是被动元件。电阻、电容和电感类元件在电路中有信号通过就能完成规定功能，不需要外加激励电源，所以称为无源器件。无源器件自身消耗电能很小，或把电能转变为不同形式的其他能量。分立元器件与集成电路从物理结构、电路功能和工程参数上，有源器件可以分为分立器件和集成电路两大类。分立元器件是与集成电路相对而言的。
热敏电阻器:用“RT”表示，分为正温度系数热敏电阻(PTC)和负温度系数热敏电阻(NTC);特点是对温度敏感，不同的温度下表现出不同的电阻值。正温度系数热敏电阻器在温度越高时电阻值越大，负温度系数热敏电阻在温度越高时电阻值越低。光敏电阻:又称光导管，用“RL”表示，在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。压敏电阻:用“RPS”表示，具有非线性伏安特性并有抑制瞬态过电压作用的固态电压敏感元件。当端电压低于某一阈值时，压敏电阻器的电流几乎等于零;超过此阈值时，电流值随端电压的增大而急剧增加。主要用于限制有害的过电压和操作过电压，能有效地保护系统或设备。还可用于消火花、消噪音、稳压等。
1 F =1000 mF 1 F mF =1000 uF 1 uF =1000 nF 1 nF =1000 pF容量允许误差标示:符 号 F±1% ; G±2%; J ±5%;K ±10%;L±15% M±20%如:一瓷片电容为104J表示 容量为0. 1 uF、误 差为±5%。识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、标法和数标法3种。容量大的电容其容量值在电容上直接标明;如10 uF/16V