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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
目前，小功率桥式整流电路的四只整流二管，被接成桥路后封装成一个整流器件，称"硅桥"或"桥堆"。在一些需用高电压、小电流的地方，常常使用倍压整流电路。倍压整流，可以把较低的交流电压，用耐压较低的整流二管和电容器，“整”出一个较高的直流电压。倍压整流电路一般按输出电压是输入电压的多少倍，分为二倍压、三倍压与多倍压整流电路。电路由变压器B、两个整流 二管D1、D2及两个电容器C1、C2组成。其工作原理如下:
三管的三种(组态)放大形式三管作放大器使用时，有两个电作为信号的输入端子，有两个电作为信号的输出端子，有一个电同时是输入和输出信号的公共端。按这个公共端不同选择，有共基、共发射、共集电放大电路。如下图示:共基放大电路:电压、电流放大能力小，输入阻抗低输出阻抗高，主要应用于高频放大、振荡和阻抗匹配电路。共发射放大电路:电压放大增益大，输入输出阻抗中等，广泛应用于放大器电路。