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数标法主要用于贴片等小体积的电路，如:472 表示 47×100ω=即4.7k；103 表示10000ω（10后面加三个0）也就是10kω环标注法使用多，道环表示阻值的大一位数字，第二道环表示第二位数字，第三道环表示阻值未应该有几个零，第四道环表示阻值的误差。电阻的标位置和倍率关系如下表所示:电容是由两片金属膜紧靠，中间用缘材料隔开而组成的元件。电容在电路中一般用“c”加数字表示，如c223表示编号为223的电容电容的特性主要是隔直流通交流。
工作原理;可控硅导通条件:一是可控硅阳与阴间加正向电压，二是控制也要加正向电压。以上两个条件，同时具备，可控硅才会处于导通状态。可控硅一旦导通后，即使降低控制电压或去掉控制电压，可控硅仍然导通。可控硅关断条件:降低或去掉加在可控硅阳至阴之间的正向电压，使阳电流小于小维持电流以下。双向可控硅: 代号:SCR双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电的半导体器件。由于主电的构造是对称的(都从N层引出)，所以它的电不像单向可控硅那样分别叫阳和阴，而是把与控制相近的叫做电A1，另一个叫做第二电A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时，硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置，采取相应的保护措施。
电子设备中使用的保护元件有熔断电阻器，普通熔断器，热熔断器和自恢复熔断器等。保护元件一般是串接在电路中的，它在电路中出现过电流，过电压或过热等异常现象时，会立即熔断而起到保护作用，可防止故障进一步扩大。
Rb1---下偏置电阻;作用是与Rb2分压来稳定BG的工作点。使BG在温度变化时，基电压保持稳定从而地稳定工作。Rc---集电电阻;作用是为BG的集电供电，阻值大BG的电压放大倍数大、电流放大倍数小;阻值小BG的电压放大倍数小、电流放大倍数大。Re---发射电阻;实际上是一个直流负反馈电阻;作用是在温度变化时使BG能地稳定工作。直流负反馈工作过程:当BG温度上升时:Ic↑--Vc↓--Ie↑--Ve↑，这时Vb不变，基与发射之间的偏置电压Vbe↓--Ib↓--Ic↓--Vc↑使BG能地稳定工作。