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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
当BG温度下降时:Ic↓--Vc↑--Ie↓--Ve↓，这时Vb不变，基与发射之间的偏置电压Vbe↑-- Ib↑--Ic↑--Vc↓使BG能地稳定工作。C1、C2---是输入耦合电容和输出耦合电容;作用是通过隔直通交的作用，为交流信号提供通路，并隔断前后级之间的直流电。用PNP管时电容性要接相反。C3---发射旁路电容;作用是把发射输出的交流信号旁路落地，产生交流负反馈作用，降低了BG的增益。
场效应管具有输入阻抗高、噪声小等优点，在各种电子器件中也得到了广泛的应用。是当场效应晶体管作为整个电子设备的输入级时，一般晶体管很难达到的性能。场效应管分为结型和缘门型两大类，其控制原理相同。传感器是一种物理装置或生物器官，它能检测和感知外部信号、物理条件（如光、热、湿度）或化学成分，并将检测到的信息传递给其他装置或器官。国家标准gb 7665-87中传感器的定义是:“能够感应到指定测量到的部件并根据一定规则将其转换为可用信号的装置或装置，通常由敏感元件和转换元件组成”。满足信息传递、处理、存储、显示、记录和控制的要求。这是实现自动检测和自动控制的步。
晶体三管是半导体的基本元件之一。它具有电流放大功能，是电子电路的核心部件。三管是由两个彼此接近的PN结在半导体基片上制成的。两个PN结将大块半导体分为三部分，中间部分为基区，两侧为发射区和集电区，排列为PNP和NPN。晶体管在电路中经常用“q“加上数字来表示。晶体管是一种的器件，它含有两个PN结，具有放大能力。场效应晶体管缩写为FET。导体涉及多数传导，也称为单晶体管。它属于压控半导体器件。它具有高输入电阻（108~109Ω），低噪声，低功耗，动态范围大，易于集成，无二次击穿，宽工作区等。它已成为功能强大的双晶体管和功率晶体管。竞争者。