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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
为了简化电路，便于调节Q点，也为了使电源与信号源能够“共地”，就产生了如图(d)所示的典型差分放大电路电。差分放大电路电压放大能力只相当于单管共射放大电路。差分放大电路是以牺牲一只管子的放大倍数为代价，换取了低温漂的效果。电 源 整 流 电 路电力网供给用户的是交流电，而各种无线电装置需要用直流电。整流，就是把交流电变为直流电的过程。利用具有单向导电特性的器件，可以把方向和大小交变的电流经过变压、整流、滤波和稳压四个过程变换为直流电。下面介绍利用晶体二管组成的各种整流电路。
电阻器 代号:R电阻器是一种能够阻碍电流通过的元器件，简称电阻。在电路中，它可限制通过它所连支路的电流大小。符号:作用:分流、限流、分压、降压、隔离、偏置等。好坏判别:用万用表电阻挡测得实际阻值与标称值一致或在充许误差范围内为好。(烧坏一般变黑)。在路测量实际阻值≤标称值。阻值单位:欧姆(Ω)，千欧(KΩ)，兆欧(MΩ)等。1 MΩ=1000 KΩ 1 KΩ=1000Ω
电感的基本单位为:亨（H） 换算单位有:1H=103mH=106uH。变容二管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二管"。是一种利用PN结电容（势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二管。管变容二管是根据普通二管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种二管。晶体三管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。