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变容二管，也称为“可变电抗二管”。它是一种由PN结电容器（势垒电容器）及其反向偏压Vr构成的二管。其结构如下图所示。管变容二管是一种的二管，是根据普通二管内部“PN结”的结电容随施加的反向电压的变化而变化的原理而设计的。变容二管主要用于移动电话的高频调制电路或无绳电话中的固定电话，低频信号被调制到高频信号上传输。在工作状态下，变容二管调制电压通常施加到负电，使得变容二管的内部结电容随调制电压而变化。变容二管发生故障，主要表现为漏电或性能不佳:（1）发生漏电时，高频调制电路不工作或调制性能恶化。 （2）当变容二管性能恶化时，高频调制电路的操作不稳定，并且调制的高频信号被发送到另一方并被另一方接收以产生失真。当出现上述情况之一时，应更换相同类型的变容二管。
电容通常由电路中的“C”加数字表示。电容是由两个相互接近的金属薄膜组成的元件，由缘材料隔开。电容的主要特点是与直流和交流相分离。电容容量是能够存储电能的大小。电容对交流信号的阻碍称为电容电抗，它与交流信号的频率和电容有关。电话中常用的电容器类型有电解电容器、陶瓷电容器、贴片电容器、单片电容器、钽电容器和聚酯电容器。固态电子装置中的半导体端子装置。这些器件的主要特点是具有非线性电流电压特性。此后，随着半导体材料和工艺技术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布和几何结构，开发了多种结构多样、功能用途不同的晶体二管。制造材料包括锗、硅和化合物半导体。晶体二管可用于产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。
半导体二极管是由一个PN结焊上两根电极引线，再加上外壳封装而构成的。二极管的单向导电特性可用伏-安特性曲线表示。半导体二极管种类很多，按材料分有锗二极管，硅二极管和砷化镓二极管等；按结构分有点接触二极管和面接触二极管；按工作原理分隧道二极管，雪崩二极管，变容二极管等；按用途分有检波二极管，整流二极管，开关二极管等。
电容器的主要参数也有两个，标称电容量和允许误差。标称电容量，指电容器上标注的电容量，电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗xc=1/2πf c(f表示交流信号的频率，c表示电容容量)识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，也分直标法、标法和数标法三种。电容的基本单位用法拉（f）表示，其它单位还有:毫法（mf）、微法（uf）、纳法（nf）、皮法（pf）。其中，1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法