北京诚信回收硬盘板整厂收购
在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
耐压:表示容量在长期工作过程中能接受的高电压值，单位:伏特(V)。代换电容时，容量一般上要相同，耐压要≥电源电压的1.414倍。容量:容量的大小就是表示能贮存电能的大小;电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)。容量单位:法拉(F)表示、毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。
电感在电路中常用“l”加数字表示，如:l3表示编号为3的电感。电感一般有直标法和标法，标法与电阻类似。电感的基本单位为:亨（h） 换算单位有:1h=103mh=106uh。二管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻大或无穷大。晶体二管在收音机中对无线电波进行检波，在电源变换电路中把交流电变换成为脉动直流电，在数字电路中充当无触点开关等，都是利用了它的单向导电特性。
交流负反馈工作过程:当BG正信号输入时Ve↑，这时Vb不变，基与发射之间的偏置电压Vbe↓--Ib↓--Ic↓--Vc↑降低了BG的增益。当BG负信号输入时Ve↓，这时Vb不变，基与发射之间的偏置电压Vbe↑-Ib↑--Ic↑--Vc↓降低了BG的增益。将发射电阻Re1和Re2合二而一，成为一个电阻Re，如图(c)所示，则在差模信号作用下Re中的电流变化为零，即Re对差模信号无反馈作用(相当于短路)，因此大大提高了对差模信号的放大能力.