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晶体三管是半导体的基本元件之一。它具有电流放大功能，是电子电路的核心部件。三管是由两个彼此接近的PN结在半导体基片上制成的。两个PN结将大块半导体分为三部分，中间部分为基区，两侧为发射区和集电区，排列为PNP和NPN。晶体管在电路中经常用“q“加上数字来表示。晶体管是一种的器件，它含有两个PN结，具有放大能力。场效应晶体管缩写为FET。导体涉及多数传导，也称为单晶体管。它属于压控半导体器件。它具有高输入电阻（108~109Ω），低噪声，低功耗，动态范围大，易于集成，无二次击穿，宽工作区等。它已成为功能强大的双晶体管和功率晶体管。竞争者。
变容二管，也称为“可变电抗二管”。它是一种由PN结电容器（势垒电容器）及其反向偏压Vr构成的二管。其结构如下图所示。管变容二管是一种的二管，是根据普通二管内部“PN结”的结电容随施加的反向电压的变化而变化的原理而设计的。变容二管主要用于移动电话的高频调制电路或无绳电话中的固定电话，低频信号被调制到高频信号上传输。在工作状态下，变容二管调制电压通常施加到负电，使得变容二管的内部结电容随调制电压而变化。变容二管发生故障，主要表现为漏电或性能不佳:（1）发生漏电时，高频调制电路不工作或调制性能恶化。 （2）当变容二管性能恶化时，高频调制电路的操作不稳定，并且调制的高频信号被发送到另一方并被另一方接收以产生失真。当出现上述情况之一时，应更换相同类型的变容二管。
电子设备中使用的保护元件有熔断电阻器，普通熔断器，热熔断器和自恢复熔断器等。保护元件一般是串接在电路中的，它在电路中出现过电流，过电压或过热等异常现象时，会立即熔断而起到保护作用，可防止故障进一步扩大。
变压器中心抽头式单相全波整流电路如图1.2.2所示。V1、V2为性能相同的整流二管,V1的阳连接A点，V2的阳连接B点;T为电源变压器，作用是产生大小相等而相位相反的v2a和v2b。设v1为正半周时，图中A端为正，B端为负，则A端电位高于中心抽头C处电位，且C处电位又高于B端电位。二管V1导通，V2截止，电流iV1自A端经二管V1自上而下流过RL到变压器中心抽头C处;当v1为负半周时，B端为正、A端为负，则B端电位高于中心抽头C处电位，且C处电位又高于A端电位。二管V2导通，V1截止，电流iV2自B端经二管V2，也自上而下流过负载RL到C处，iV1和iV2叠加形成全波脉动直流电流iL，在RL两端产生全波脉动直流电压vL。