湖南长期回收电感整厂收购
在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
单向可控硅 代号:BCR是一种半导体元器件又称晶体闸流管，单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二管相比，单向可控硅正向导通受控制电流控制;可控硅对控制电流没有放大作用。作用:整流、稳压、开关等作用。好坏判别:用万用表R×1K挡对换表笔测、AG正反向阻值均为∞，测GK正向阻值3—9K，反向阻值∞为好管。电判别:用万用表R×1K挡对换表笔测GK，正向阻值3—9K时，黑表笔接的一端为G(控制)，红表笔接的一端为K(阴)，另一端为A(阳)。
在实际电路中，负载上的电压Ufz≈3x1.2E2整流二管D3所承妥的高反向电压也是 电容器上的直流电压为 。照这样办法，增加多个二管和相同数量的电容器，既可以组成多倍压整流电路，见图三倍压整流电路。当n为奇数时，输出电压从上端取出:当n为偶数时，输出电压从下端取出。说明，倍压整流电路只能在负载较轻(即Rfz较大。输出电流较小)的情况下工作，否则输出电压会降低。倍压越高的整疏电路，这种因负载电流增大影响输出电压下降的情况越明显。
三相电功率:三相交流电的功率等于各相功率之和。在对称负载的情形下，各相的电压均为Uφ、相电流Iφ以及功率因数cosφ都相等。因此三相电路的平均功率可写为:P =3UφIφcos。负载---就是用电器。在电路中使用电能的各种设备统称为负载。电动势----电路中因其他形式的能量转换为电能所引起的电位差，叫做电动势或者简称电势。用字母E表示，单位为:伏特V。击穿---缘物质在电场的作用下发生剧烈放电或导电的现象叫击穿。