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  在半导体表面的垂直方向上加一电场时,则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动,半导体表面发生载流子的重新分布,因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变,即改变外加电压的大小和方向,可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型,或控制PN结空间电荷区的宽度,这种现象称半导体的场效应。

  变压器中心抽头式单相全波整流电路如图1.2.2所示。V1、V2为性能相同的整流二管,V1的阳连接A点,V2的阳连接B点;T为电源变压器,作用是产生大小相等而相位相反的v2a和v2b。设v1为正半周时,图中A端为正,B端为负,则A端电位高于中心抽头C处电位,且C处电位又高于B端电位。二管V1导通,V2截止,电流iV1自A端经二管V1自上而下流过RL到变压器中心抽头C处;当v1为负半周时,B端为正、A端为负,则B端电位高于中心抽头C处电位,且C处电位又高于A端电位。二管V2导通,V1截止,电流iV2自B端经二管V2,也自上而下流过负载RL到C处,iV1和iV2叠加形成全波脉动直流电流iL,在RL两端产生全波脉动直流电压vL。

  电容器的主要参数也有两个,标称电容量和允许误差。标称电容量,指电容器上标注的电容量,电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。容抗xc=1/2πf c(f表示交流信号的频率,c表示电容容量)识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,也分直标法、标法和数标法三种。电容的基本单位用法拉(f)表示,其它单位还有:毫法(mf)、微法(uf)、纳法(nf)、皮法(pf)。其中,1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法

  桥式整流电路是使用多的一种整流电路。这种电路,只要增加两只二管口连接成"桥"式结构,便具有全波整流电路的优点,而同时在一定程度上克服了它的缺点。桥式整流电路的工作原理如下:e2为正半周时,对D1、D3和方向电压,Dl,D3导通;对D2、D4加反向电压,D2、D4截止。电路中构成e2、Dl、Rfz 、D3通电回路,在Rfz ,上形成上正下负的半波整洗电压,e2为负半周时,对D2、D4加正向电压,D2、D4导通;对D1、D3加反向电压,D1、D3截止。电路中构成e2、D2、Rfz、D4通电回路,同样在Rfz 上形成上正下负的另外半波的整流电压。如此重复下去,结果在Rfz ,上便得到全波整流电压。其波形图和全波整流波形图是一样的。从图5-6中还不难看出,桥式电路中每只二管承受的反向电压等于变压器次级电压的大值,比全波整流电路小一半!

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