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当BG温度下降时:Ic↓--Vc↑--Ie↓--Ve↓，这时Vb不变，基与发射之间的偏置电压Vbe↑-- Ib↑--Ic↑--Vc↓使BG能地稳定工作。C1、C2---是输入耦合电容和输出耦合电容;作用是通过隔直通交的作用，为交流信号提供通路，并隔断前后级之间的直流电。用PNP管时电容性要接相反。C3---发射旁路电容;作用是把发射输出的交流信号旁路落地，产生交流负反馈作用，降低了BG的增益。
电容器是电子设备中大量使用的元件之一，它具有隔直流和分离各种频率的能力，广泛用于隔直流，耦合，旁路，滤波，去耦，移相，谐振回路调谐，波形变换（微分，积分），能量转换，控制电路中的时间常数设定等。
截止状态:三管的发射加反向电压或两断电压为零时,这时集电与发射之间的电阻很大，就像开关断开一样，三管处于截止(不导通)状态;(Vb ≤Ve)。放大电路:当基(输入端)输入一个较小的基电流时，其集电(输出端)将按比例产生一个较大的集电电流，这个比例就是三管的电流放大系数。(VC >Vb > Ve)放大作用的理解:三管不会产生能量，但它可以通过小电流控制大电流;放大的原理就在于:通过小的变化的交流输入，控制大的静态直流起较大的相应的变化
晶体三管是半导体的基本元件之一。它具有电流放大功能，是电子电路的核心部件。三管是由两个彼此接近的PN结在半导体基片上制成的。两个PN结将大块半导体分为三部分，中间部分为基区，两侧为发射区和集电区，排列为PNP和NPN。晶体管在电路中经常用“q“加上数字来表示。晶体管是一种的器件，它含有两个PN结，具有放大能力。场效应晶体管缩写为FET。导体涉及多数传导，也称为单晶体管。它属于压控半导体器件。它具有高输入电阻（108~109Ω），低噪声，低功耗，动态范围大，易于集成，无二次击穿，宽工作区等。它已成为功能强大的双晶体管和功率晶体管。竞争者。