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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
图2为简单稳压电路,由限流电阻 Rs和稳压二管Dz组成。输出端输出稳压电压。当输入电压ui或输出电流I0在一定范围内升高或降低时,具有稳压特性的Dz上的电压 。晶体管稳压电路。负载电阻RL与调整管T相并联。当输入电压ui升高时，通过稳压管注入调整管基的电流Ib增大，Ic和ur1≈IcR1也随之增加，输出电压u0仍然稳定不变。这种稳压电路由于用作调整管的晶体管 T兼有放大作用，稳压性能有所提高，线路也不复杂，但性能仍不理想，实际上应用较少。
变容二管，也称为“可变电抗二管”。它是一种由PN结电容器（势垒电容器）及其反向偏压Vr构成的二管。其结构如下图所示。管变容二管是一种的二管，是根据普通二管内部“PN结”的结电容随施加的反向电压的变化而变化的原理而设计的。变容二管主要用于移动电话的高频调制电路或无绳电话中的固定电话，低频信号被调制到高频信号上传输。在工作状态下，变容二管调制电压通常施加到负电，使得变容二管的内部结电容随调制电压而变化。变容二管发生故障，主要表现为漏电或性能不佳:（1）发生漏电时，高频调制电路不工作或调制性能恶化。 （2）当变容二管性能恶化时，高频调制电路的操作不稳定，并且调制的高频信号被发送到另一方并被另一方接收以产生失真。当出现上述情况之一时，应更换相同类型的变容二管。
二管的主要特性是单向导电，即在正向电压作用下导通电阻很小，而在反向电压作用下导通电阻是大或无限大的。由于上述特性，二管常用于无绳电话的整流、隔离、稳压、性保护、编码控制、调频降噪等电路中。用数字万用表测量二管时，红表笔连接二管的正和黑表笔连接二管的负是二管的正导通电阻，与指针万用表的表笔连接方法正好相反。齐纳二管，这种二管是一种半导体器件，具有高电阻，直到临界反向击穿电压。齐纳二管的特点是击穿后，齐纳二管两端的电压基本不变。当稳压器连接到电路时，如果电源的电压发生波动，或者其他原因导致电路中各点的电压发生变化，则负载两端的电压将基本保持不变。