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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
单向可控硅 代号:BCR是一种半导体元器件又称晶体闸流管，单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二管相比，单向可控硅正向导通受控制电流控制;可控硅对控制电流没有放大作用。作用:整流、稳压、开关等作用。好坏判别:用万用表R×1K挡对换表笔测、AG正反向阻值均为∞，测GK正向阻值3—9K，反向阻值∞为好管。电判别:用万用表R×1K挡对换表笔测GK，正向阻值3—9K时，黑表笔接的一端为G(控制)，红表笔接的一端为K(阴)，另一端为A(阳)。
热敏电阻器:用“RT”表示，分为正温度系数热敏电阻(PTC)和负温度系数热敏电阻(NTC);特点是对温度敏感，不同的温度下表现出不同的电阻值。正温度系数热敏电阻器在温度越高时电阻值越大，负温度系数热敏电阻在温度越高时电阻值越低。光敏电阻:又称光导管，用“RL”表示，在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。压敏电阻:用“RPS”表示，具有非线性伏安特性并有抑制瞬态过电压作用的固态电压敏感元件。当端电压低于某一阈值时，压敏电阻器的电流几乎等于零;超过此阈值时，电流值随端电压的增大而急剧增加。主要用于限制有害的过电压和操作过电压，能有效地保护系统或设备。还可用于消火花、消噪音、稳压等。
电阻元件的电阻值大小一般与温度有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。电阻在电路中用“R”加数字表示，如:R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。电容（或电容量， Capacitance）指的是在给定电位差下的电荷储藏量；记为C，单位是法拉（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质， 则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上；造成电荷的累积储存，常见的例子就是两片平行金属板。也是电容器的俗称。