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在半导体表面的垂直方向上加一电场时,则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动,半导体表面发生载流子的重新分布,因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变,即改变外加电压的大小和方向,可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型,或控制PN结空间电荷区的宽度,这种现象称半导体的场效应。
作用:二管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻大或无穷大。识别方法:二管的识别很简单,小功率二管的N(负),在二管外表大多采用一种圈标出来,有些二管也用二管符号来表示P(正) 或N(负),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二管性的。发光二管的正负可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负。测试注意事项:用数字式万用表去测二管时,红表笔接二管的正,黑表笔接二管的负,此时测得的阻值才是二管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
频率:用符号f表示。是表示交流电间变化快慢的物理量。即交流电每秒钟变化的次数叫频率。它的单位为周/秒,也称赫兹常用“Hz”表示,简称周或赫。例如市电是50周的交流电,其频率即为f=50周/秒。对较高的频率还可用兆周(MC)、千周(kC)和兆周(MC)作为频率的单位。1 MC =1 kC 1 kC=1000 C周期:用符号T表示。交流电变化一次所需要的时间叫周期。周期的单位是秒;周期和频率互为倒数,即:T=1/f
电容器的主要参数也有两个,标称电容量和允许误差。标称电容量,指电容器上标注的电容量,电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。容抗xc=1/2πf c(f表示交流信号的频率,c表示电容容量)识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,也分直标法、标法和数标法三种。电容的基本单位用法拉(f)表示,其它单位还有:毫法(mf)、微法(uf)、纳法(nf)、皮法(pf)。其中,1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法