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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
电阻元件的电阻值大小一般与温度有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。电阻在电路中用“R”加数字表示，如:R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。电容（或电容量， Capacitance）指的是在给定电位差下的电荷储藏量；记为C，单位是法拉（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质， 则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上；造成电荷的累积储存，常见的例子就是两片平行金属板。也是电容器的俗称。
集成电路（ic integrated circuit）是一种把一类电路中所需的晶体管、阻容感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，封装为一整体，具有电路功能的电子元器件。分立元器件就是指普通的电阻、电容、晶体管等单个电子元件，统称分立元件。分立元件就是功能单一、“小”的元件，内部有其它元件功能单元。电路类元件与连接类元件区分电子系统中的无源器件可以按照所担当的电路功能常分为电路类器件、连接类器件。
单向可控硅 代号:BCR是一种半导体元器件又称晶体闸流管，单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二管相比，单向可控硅正向导通受控制电流控制;可控硅对控制电流没有放大作用。作用:整流、稳压、开关等作用。好坏判别:用万用表R×1K挡对换表笔测、AG正反向阻值均为∞，测GK正向阻值3—9K，反向阻值∞为好管。电判别:用万用表R×1K挡对换表笔测GK，正向阻值3—9K时，黑表笔接的一端为G(控制)，红表笔接的一端为K(阴)，另一端为A(阳)。