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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
Rb1---下偏置电阻;作用是与Rb2分压来稳定BG的工作点。使BG在温度变化时，基电压保持稳定从而地稳定工作。Rc---集电电阻;作用是为BG的集电供电，阻值大BG的电压放大倍数大、电流放大倍数小;阻值小BG的电压放大倍数小、电流放大倍数大。Re---发射电阻;实际上是一个直流负反馈电阻;作用是在温度变化时使BG能地稳定工作。直流负反馈工作过程:当BG温度上升时:Ic↑--Vc↓--Ie↑--Ve↑，这时Vb不变，基与发射之间的偏置电压Vbe↓--Ib↓--Ic↓--Vc↑使BG能地稳定工作。
容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示;字母表示法:1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF数字表示法:示为小数的或标示为一位或两位整数的，标示数就是容量值;标示为小数的，容量单位为uF;标示为整数的，容量单位为PF;标不标示耐压的耐压均为500V。用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率(或补几个“0”个数)。如:①102表示10×10²PF=1000PF 224表示22×104PF=220000PF
放大能力测量:用万用表R×10KΩ挡;PNP管红表笔接C，黑表笔接E;NPN管黑表笔接C，红表笔接E;用手指接通B与C时，表针摆动幅度越大说明该项管放大能力越好。表针无摆动为无放大能力已损坏。 符号:三管的三种工作状态放大状态:三管的BE加正向电压时，在正偏状态(BE之间电压为0.5-0.7V)这时集电与发射之间的电流大小受基控制，三管处于放大(导通)状态。饱和(导通)状态:三管的BE加正向电压时，在超正偏状态(BE之间电压大于0.7V以上)这时集电与发射之间的电阻很小，就像开关闭合一样，三管处于饱和(导通)状态。