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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
电容器的主要参数也有两个，标称电容量和允许误差。标称电容量，指电容器上标注的电容量，电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗xc=1/2πf c(f表示交流信号的频率，c表示电容容量)识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，也分直标法、标法和数标法三种。电容的基本单位用法拉（f）表示，其它单位还有:毫法（mf）、微法（uf）、纳法（nf）、皮法（pf）。其中，1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法
工作原理;可控硅导通条件:一是可控硅阳与阴间加正向电压，二是控制也要加正向电压。以上两个条件，同时具备，可控硅才会处于导通状态。可控硅一旦导通后，即使降低控制电压或去掉控制电压，可控硅仍然导通。可控硅关断条件:降低或去掉加在可控硅阳至阴之间的正向电压，使阳电流小于小维持电流以下。双向可控硅: 代号:SCR双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电的半导体器件。由于主电的构造是对称的(都从N层引出)，所以它的电不像单向可控硅那样分别叫阳和阴，而是把与控制相近的叫做电A1，另一个叫做第二电A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时，硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置，采取相应的保护措施。
注:基电压Vb;基电流Ib;集电电流Ic;集电电压Vc;发射电流Ie;发射电压Ve;上升、增大↑;下降、变小↓三 管 形 状光耦元件:代号: IC光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离,光耦合器的结构相当于把发光二管和光敏(三)管封装在一起。发光二管把输入的电信号转换为光信号传给光敏管转换为电信号输出，由于没有直接的电气连接，这样既耦合传输了信号，又有隔离作用。如下图:三端稳压器: 代号:IC