云南大量回收库存SMD灯整厂收购
在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
晶体二管（crystaldiode）固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是具有非线性的电流-电压特性。此后随着半导体材料和工艺技 术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构，研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。晶体二管在电路中常用“D”加数字表示，如: D5表示编号为5的二管。
无功功率----在具有电感和电容的电路里，这些储能元件在半周期的时间里把电源能量变成磁场(或电场)的能量存起来，在另半周期的时间里对已存的磁场(或电场)能量送还给电源。它们只是与电源进行能量交换，并没有真正消耗能量。我们把与电源交换能量的速率的振幅值叫做无功功率。用字母Q表示。在交流电路中，电流、电压的有效值与它们的相位差φ的正弦的乘积叫做无功功率，即Q = Iusinφ功率因数----在直流电路里，电压乘电流就是有功功率。但在交流电路里，电压乘电流是视在功率，而能起到作功的一部分功率(即有功功率)将小于视在功率。有功功率与视在功率之比叫做功率因数，以COSφ表示。是反映电能利用率大小的物理量。
注:基电压Vb;基电流Ib;集电电流Ic;集电电压Vc;发射电流Ie;发射电压Ve;上升、增大↑;下降、变小↓三 管 形 状光耦元件:代号: IC光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离,光耦合器的结构相当于把发光二管和光敏(三)管封装在一起。发光二管把输入的电信号转换为光信号传给光敏管转换为电信号输出，由于没有直接的电气连接，这样既耦合传输了信号，又有隔离作用。如下图:三端稳压器: 代号:IC