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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
用于倍压整流电路的二管，其高反向电压应大于 。可用高压硅整流堆，其系列型号为2DL。如2DL2/0.2，表示高反向电压为2千伏，整流电流平均值为200毫安。倍压整流电路使用的电容器容量比较小，不用电解电容器。电容器的耐压值要大于1.5x ，在使用上才。后向调整电路(稳压电路)输送一个不稳定的脉动的直流电压ui。因ui或稳压电路输出电流 I0的变动而引起输出电压u0变化时,调整电路使u0保持原值或者只有小的变动。调整电路中的调整管工作在线性放大区的称为线性电源，工作在非线性区的则称为开关电源。线性电源分为简单稳压电路、并联稳压电路、串联稳压电路和集成化稳压电路。
作用:交流控制电路，如温度控制、灯光控制、防爆交流开关和交流电机调速、换向、交流稳压等电路。电和好坏判别:用万用表R×1挡或R×10挡对换表笔测T2、T1或T2、G正、反阻值指针均不动;用万用表R×1挡或R×10挡对换表笔测T1和G正、反向阻值均为几十至几百欧，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G，黑笔所接为T1，余下是T2。符 号:如图上所示。因为它是双向元件，所以不管T1 ,T2的电压性如何，若G有信号加入时，则T1 ,T2间呈导通状态;反之，加G触发信号，则T1 ,T2间有高的阻抗。
晶体三管在电路中常用“Q”加数字表示，如:Q17表示编号为17的三管。特点:晶体三管（简称三管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高 （108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、工作区域宽等优点，现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。