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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
指在工厂生产加工时改变了分子结构的成品。例如晶体管、电子管、集成电路。因为它本身能产生电子，对电压、电流有控制、变换作用(放大、开关、整流、检波、振荡和调制等)，所以又称有源器件。按分类标准，电子器件可分为12个大类，可归纳为真空电子器件和半导体器件两大块。金属膜电阻，它是在真空中将合金加热蒸发，在瓷棒表面形成一层导电金属膜而形成的，所以叫做金属膜电阻，我们在金属膜上刻槽，或改变其厚度，就可以控制它的阻值。它的阻值的大小以环的形式被标记在电阻体上。
在实际电路中，负载上的电压Ufz≈3x1.2E2整流二管D3所承妥的高反向电压也是 电容器上的直流电压为 。照这样办法，增加多个二管和相同数量的电容器，既可以组成多倍压整流电路，见图三倍压整流电路。当n为奇数时，输出电压从上端取出:当n为偶数时，输出电压从下端取出。说明，倍压整流电路只能在负载较轻(即Rfz较大。输出电流较小)的情况下工作，否则输出电压会降低。倍压越高的整疏电路，这种因负载电流增大影响输出电压下降的情况越明显。
三管的放大作用就是:集电电流受基电流的控制(假设电源能够提供给集电大的电流)，并且基电流很小的变化，会引起集电电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系:集电电流的变化量是基电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十，几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基跟发射之间，这就会引起基电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式U=R*I可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。