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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
电容也是常用的电子元件，其种类也很多。按所用的材料分，主要有电解电容、瓷片电容、独石电容、有机薄膜电容。这些电容各有优缺点，其中铝电解电容体积小、容量大，但高频性能较差，一般作为滤波电容或蓄能电容。瓷片电容、独石电容的高频性能较好，但其容量不大，一般作为高频滤波电容。电容在电子电路中的作用有滤波、振荡、选频、耦合等。电感也是常用的电子元件，但其在电路中用的不多。电感在电路中常与电容组合使用作为滤波、谐振、选频。在DC-DC升降压电路中，电感与三管或集成电路组合使用可以实现升压或降压。
高反向工作电压，加在二管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了使用，规定了高反向工作电压值。反向电流是指二管在规定的温度和高反向电压作用下，流过二管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。晶体三管在电路中具有放大作用和开关作用。我们使用晶体三管在电路中放大微弱的信号电流或制成自动开关，控制用电器的通断。晶体三管在电路中常用“q”加数字表示，如:q1表示编号为1的三管。
电感的基本单位为:亨（H） 换算单位有:1H=103mH=106uH。变容二管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二管"。是一种利用PN结电容（势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二管。管变容二管是根据普通二管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种二管。晶体三管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。