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电感的基本单位为:亨（H） 换算单位有:1H=103mH=106uH。变容二管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二管"。是一种利用PN结电容（势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二管。管变容二管是根据普通二管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种二管。晶体三管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
好坏判别:①用万用表R×1KΩ挡对换表笔测称B—C和B—E，正向阻值3—9K，反向阻值∞(无穷大); ②用万用表R×10K挡对换表笔测称C—E，正向阻值30K以上，反向阻值∞(无穷大);达①②条件为好管。带阻尼型管好坏判别:①用万用表R×1Ω或R×10Ω挡对换表笔测称B—E，正向阻值均为十几至几十欧;②用万用表R×1K挡对换表笔测称C—E，正向阻值3—9K反向阻值∞(无穷大);达①②条件为好管。
晶体三管在电路中常用“Q”加数字表示，如:Q17表示编号为17的三管。特点:晶体三管（简称三管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高 （108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、工作区域宽等优点，现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
石英晶体在电子线路中一般用于产生稳定的振荡频率和做晶体滤波器用。石英晶体可单独制成元件使用，也可与半导体器件和阻容元件一起组成石英晶体振荡器。石英晶体振荡器是一种各向异性的晶体，从一块晶体上按一定的方位角切下薄片称为晶片（可以是正方形，矩形或圆形等），然后在晶片的两个对应表面上涂敷银层并装上一对金属板，就构成石英晶体振荡器。石英晶体谐振器的文字符号为B或BC。