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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
图2为简单稳压电路,由限流电阻 Rs和稳压二管Dz组成。输出端输出稳压电压。当输入电压ui或输出电流I0在一定范围内升高或降低时,具有稳压特性的Dz上的电压 。晶体管稳压电路。负载电阻RL与调整管T相并联。当输入电压ui升高时，通过稳压管注入调整管基的电流Ib增大，Ic和ur1≈IcR1也随之增加，输出电压u0仍然稳定不变。这种稳压电路由于用作调整管的晶体管 T兼有放大作用，稳压性能有所提高，线路也不复杂，但性能仍不理想，实际上应用较少。
1H=1000mH 1mH=1000uH电 感 器 的 形 状电源变压器 代号:B是由一个原线圈与一个或多个副线圈在缘骨架加上硅钢片铁芯绕制成的;原理是电磁感应现象，即电生磁、磁再生电的原理;原线圈输入的是原来的交流电，经过线圈变化的电流产生变化的磁场，变化的磁场穿过副线圈，于是便产生了变化电流从副线圈输出。变压器转换的是交变电流(交流电)。初级次级电压和线圈圈数间具有下列关系:
耐压:表示容量在长期工作过程中能接受的高电压值，单位:伏特(V)。代换电容时，容量一般上要相同，耐压要≥电源电压的1.414倍。容量:容量的大小就是表示能贮存电能的大小;电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)。容量单位:法拉(F)表示、毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。