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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
电容通常由电路中的“C”加数字表示。电容是由两个相互接近的金属薄膜组成的元件，由缘材料隔开。电容的主要特点是与直流和交流相分离。电容容量是能够存储电能的大小。电容对交流信号的阻碍称为电容电抗，它与交流信号的频率和电容有关。电话中常用的电容器类型有电解电容器、陶瓷电容器、贴片电容器、单片电容器、钽电容器和聚酯电容器。固态电子装置中的半导体端子装置。这些器件的主要特点是具有非线性电流电压特性。此后，随着半导体材料和工艺技术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布和几何结构，开发了多种结构多样、功能用途不同的晶体二管。制造材料包括锗、硅和化合物半导体。晶体二管可用于产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。
电容器的主要参数也有两个，标称电容量和允许误差。标称电容量，指电容器上标注的电容量，电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗xc=1/2πf c(f表示交流信号的频率，c表示电容容量)识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，也分直标法、标法和数标法三种。电容的基本单位用法拉（f）表示，其它单位还有:毫法（mf）、微法（uf）、纳法（nf）、皮法（pf）。其中，1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法
频率:用符号f表示。是表示交流电间变化快慢的物理量。即交流电每秒钟变化的次数叫频率。它的单位为周/秒，也称赫兹常用“Hz”表示，简称周或赫。例如市电是50周的交流电，其频率即为f=50周/秒。对较高的频率还可用兆周(MC)、千周(kC)和兆周(MC)作为频率的单位。1 MC =1 kC 1 kC=1000 C周期:用符号T表示。交流电变化一次所需要的时间叫周期。周期的单位是秒;周期和频率互为倒数，即:T=1/f