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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
光电二管:和普通二管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。双向触发二管:具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ，在电路中作过压保护定时、移相、调速、调光等用途。测量双向触发二管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0，则说明该二管已击穿损坏。
1H=1000mH 1mH=1000uH电 感 器 的 形 状电源变压器 代号:B是由一个原线圈与一个或多个副线圈在缘骨架加上硅钢片铁芯绕制成的;原理是电磁感应现象，即电生磁、磁再生电的原理;原线圈输入的是原来的交流电，经过线圈变化的电流产生变化的磁场，变化的磁场穿过副线圈，于是便产生了变化电流从副线圈输出。变压器转换的是交变电流(交流电)。初级次级电压和线圈圈数间具有下列关系:
交流负反馈工作过程:当BG正信号输入时Ve↑，这时Vb不变，基与发射之间的偏置电压Vbe↓--Ib↓--Ic↓--Vc↑降低了BG的增益。当BG负信号输入时Ve↓，这时Vb不变，基与发射之间的偏置电压Vbe↑-Ib↑--Ic↑--Vc↓降低了BG的增益。将发射电阻Re1和Re2合二而一，成为一个电阻Re，如图(c)所示，则在差模信号作用下Re中的电流变化为零，即Re对差模信号无反馈作用(相当于短路)，因此大大提高了对差模信号的放大能力.