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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
交流负反馈工作过程:当BG正信号输入时Ve↑，这时Vb不变，基与发射之间的偏置电压Vbe↓--Ib↓--Ic↓--Vc↑降低了BG的增益。当BG负信号输入时Ve↓，这时Vb不变，基与发射之间的偏置电压Vbe↑-Ib↑--Ic↑--Vc↓降低了BG的增益。将发射电阻Re1和Re2合二而一，成为一个电阻Re，如图(c)所示，则在差模信号作用下Re中的电流变化为零，即Re对差模信号无反馈作用(相当于短路)，因此大大提高了对差模信号的放大能力.
三管的放大作用就是:集电电流受基电流的控制(假设电源能够提供给集电大的电流)，并且基电流很小的变化，会引起集电电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系:集电电流的变化量是基电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十，几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基跟发射之间，这就会引起基电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式U=R*I可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。
凡光亮如"新"的镀锡引脚必为翻新货，正货ic的引脚大多数应是所谓"银粉脚"，泽较暗但成均匀，表面不应有氧化痕迹或"助焊剂"，另外dip等插件的引脚不应有擦花的痕迹，即使有（再次包装才会有）擦痕也应是整齐、同方向的且金属暴露处光洁无氧化。看器件生产日期和封装厂标号正货的标号包括芯片底面的标号应一致且生产时间与器件品相相符，而未remark的翻新片标号混乱，生产时间不一。remark的芯片虽然正面标号等一致，但有时数值不合常理（如标什么"吉利数"）或生产日期与器件品相不符，器件底面的标号若很混乱也说明器件是remark的。