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在半导体表面的垂直方向上加一电场时,则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动,半导体表面发生载流子的重新分布,因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变,即改变外加电压的大小和方向,可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型,或控制PN结空间电荷区的宽度,这种现象称半导体的场效应。
整流桥:是将整流管封在一个壳内,通过二管的单向导通原理来完成整流工作,将交流电转换为直流电;光耦:以光为媒介传输电信号。它对输入、输出电信号有良好的隔离作用,在数字电路上广泛应用。连接器:一般是指电器接插件。连接两个有源器件的器件,传输电流或信号的器件。如常见的插座;晶片:主要有砷(AS) 铝(AL) 镓(Ga) 铟(IN) 磷(P) 氮(N)锶(Sr)这几种元素中的若干种组成.,是LED的发光部件,LED核心的部分;
共集电放大电路:电流放大增益大,电压放大增益小;输入阻抗高输出阻抗低,可用作阻抗匹配电路。偏 置 放 大 电 路放大电路具有放大和反相的作用,而静态工作点的设置对放大电路的正常工作又具有其重要的影响,可调节上偏置电阻Rb2来改变静态工作点。RL---负载电阻;Vcc---工作电源;Vi---输入信号;Vo---输出信号;BG----放大管起放大作用。Rb2---上偏置电阻;作用是为放大管BG的基提供偏置电源,调节Rb2可以改变静态工作点。
三相电功率:三相交流电的功率等于各相功率之和。在对称负载的情形下,各相的电压均为Uφ、相电流Iφ以及功率因数cosφ都相等。因此三相电路的平均功率可写为:P =3UφIφcos。负载---就是用电器。在电路中使用电能的各种设备统称为负载。电动势----电路中因其他形式的能量转换为电能所引起的电位差,叫做电动势或者简称电势。用字母E表示,单位为:伏特V。击穿---缘物质在电场的作用下发生剧烈放电或导电的现象叫击穿。