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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
母线的相序排列:(观察者从设备正面所见)原则如下:从左到右排列时，左侧为A相，中间为B相，右侧为C相。 从上到下排列时，上侧为A相，中间为B相，下侧为C相。 从远至近排列时，远为A相，中间为B相，近为C相。涂:A-黄，B-绿，C-红，中性线不接地紫，正-褚，负-兰，接地线-黑。直流电:用“DC”或“━”表示。是指方向和时间不作周期性变化的电流，但电流大小可能不固定，而产生波形。电荷从高电势(+)处流向低电势处(-)，所通过的电路称直流电路，是由直流电源和电阻构成的闭合导电回路。直流电源有化学电池，燃料电池，温差电池，太阳能电池，直流发电机等。
Rb1---下偏置电阻;作用是与Rb2分压来稳定BG的工作点。使BG在温度变化时，基电压保持稳定从而地稳定工作。Rc---集电电阻;作用是为BG的集电供电，阻值大BG的电压放大倍数大、电流放大倍数小;阻值小BG的电压放大倍数小、电流放大倍数大。Re---发射电阻;实际上是一个直流负反馈电阻;作用是在温度变化时使BG能地稳定工作。直流负反馈工作过程:当BG温度上升时:Ic↑--Vc↓--Ie↑--Ve↑，这时Vb不变，基与发射之间的偏置电压Vbe↓--Ib↓--Ic↓--Vc↑使BG能地稳定工作。
用于倍压整流电路的二管，其高反向电压应大于 。可用高压硅整流堆，其系列型号为2DL。如2DL2/0.2，表示高反向电压为2千伏，整流电流平均值为200毫安。倍压整流电路使用的电容器容量比较小，不用电解电容器。电容器的耐压值要大于1.5x ，在使用上才。后向调整电路(稳压电路)输送一个不稳定的脉动的直流电压ui。因ui或稳压电路输出电流 I0的变动而引起输出电压u0变化时,调整电路使u0保持原值或者只有小的变动。调整电路中的调整管工作在线性放大区的称为线性电源，工作在非线性区的则称为开关电源。线性电源分为简单稳压电路、并联稳压电路、串联稳压电路和集成化稳压电路。