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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
当BG温度下降时:Ic↓--Vc↑--Ie↓--Ve↓，这时Vb不变，基与发射之间的偏置电压Vbe↑-- Ib↑--Ic↑--Vc↓使BG能地稳定工作。C1、C2---是输入耦合电容和输出耦合电容;作用是通过隔直通交的作用，为交流信号提供通路，并隔断前后级之间的直流电。用PNP管时电容性要接相反。C3---发射旁路电容;作用是把发射输出的交流信号旁路落地，产生交流负反馈作用，降低了BG的增益。
图2为简单稳压电路,由限流电阻 Rs和稳压二管Dz组成。输出端输出稳压电压。当输入电压ui或输出电流I0在一定范围内升高或降低时,具有稳压特性的Dz上的电压 。晶体管稳压电路。负载电阻RL与调整管T相并联。当输入电压ui升高时，通过稳压管注入调整管基的电流Ib增大，Ic和ur1≈IcR1也随之增加，输出电压u0仍然稳定不变。这种稳压电路由于用作调整管的晶体管 T兼有放大作用，稳压性能有所提高，线路也不复杂，但性能仍不理想，实际上应用较少。