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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
变容二管，也称为“可变电抗二管”。它是一种由PN结电容器（势垒电容器）及其反向偏压Vr构成的二管。其结构如下图所示。管变容二管是一种的二管，是根据普通二管内部“PN结”的结电容随施加的反向电压的变化而变化的原理而设计的。变容二管主要用于移动电话的高频调制电路或无绳电话中的固定电话，低频信号被调制到高频信号上传输。在工作状态下，变容二管调制电压通常施加到负电，使得变容二管的内部结电容随调制电压而变化。变容二管发生故障，主要表现为漏电或性能不佳:（1）发生漏电时，高频调制电路不工作或调制性能恶化。 （2）当变容二管性能恶化时，高频调制电路的操作不稳定，并且调制的高频信号被发送到另一方并被另一方接收以产生失真。当出现上述情况之一时，应更换相同类型的变容二管。
开关电路:三管在电路中通常用做电子开关。在开关状态下的三管处于饱和(导通)状态和截止状态。三管放大工作状态下各电电压电流的变化关系:对于NPN型管:Vb↑--Ib↑--Ic↑--Vc↓--Ie↑--Ve↑;Vb↓--Ib↓--Ic↓--Vc↑--Ie↓--Ve↓对于PNP型管:Vb↑--Ib↓--Ic↓--Ve↑--Ic↓--Vc↓;Vb↓--Ib↑--Ic↑--Ve↓--Ic↑--Vc↑
电容(或电容量， Capacitance)指的是在给定电位差下的电荷贮备量;记为C，海外单元是法拉(F)。通常来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻截了电荷挪动而使得电荷堆集在导体上;造成电荷的埋藏积累储存，思空见贯的例子就是两片平行金属板。也是电容器的称呼。十大经常使用电子元器件排行榜电容在电路中一样平经常使用“C”加数字泄漏表现(如C13体现编号为13的电容)。电容是由两片金属膜紧靠，中间用缘原料隔开而组成的元件。电容的特点主若是隔直疏通交流。电容容量的大小等于展示能贮存电能的大小，电容对交流旌旗灯号的阻截感召喻为容抗，它与交流旗帜灯号的频次和电容量有关。容抗XC=1/2πf c (f展现交流旌旗灯号的频率，C闪现电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容与涤纶电容等。 请上岸:输配电装备网 阅读更多静态