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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
电阻元件的电阻值一般与温度有关。测量温度影响的物理量是温度系数，它被定义为电阻值随温度升高1℃而变化的百分比。电阻器由“R”加上电路中的数字表示。例如，R1表示编号为1的电阻。电路中电阻的主要作用是分流，电流限制，分压，偏移等。电容是指在给定的电位差下存储的电荷量；单位是Farah（F）。一般来说，电荷在电场中在力的作用下移动。当导体之间存在介质时，它会阻碍电荷的移动并导致电荷在导体上积累；电荷累积存储的常见的例子是两个平行的金属板，这也是众所周知的电容器。
当BG温度下降时:Ic↓--Vc↑--Ie↓--Ve↓，这时Vb不变，基与发射之间的偏置电压Vbe↑-- Ib↑--Ic↑--Vc↓使BG能地稳定工作。C1、C2---是输入耦合电容和输出耦合电容;作用是通过隔直通交的作用，为交流信号提供通路，并隔断前后级之间的直流电。用PNP管时电容性要接相反。C3---发射旁路电容;作用是把发射输出的交流信号旁路落地，产生交流负反馈作用，降低了BG的增益。
e2正半周(上正下负)时，二管D1导通，D2截止，电流经过D1对C1充电，将电容Cl上的电压充到接近e2的峰值√2E2 ，并基本保持不变。e2为负半周(上负下正)时，二管D2导通，Dl截止。此时，Cl上的电压Uc1=√2E2与电源电压e2串联相加，电流经D2对电容C2充电，充电电压Uc2=e2峰值+1.2E2≈ 2√2E2。如此反复充电，C2上的电压就基本上是2√2E2 了。它的值是变压器电级电压的二倍，所以叫做二倍压整流电路。