西藏大量回收钽电容整厂收购
在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
无功功率----在具有电感和电容的电路里，这些储能元件在半周期的时间里把电源能量变成磁场(或电场)的能量存起来，在另半周期的时间里对已存的磁场(或电场)能量送还给电源。它们只是与电源进行能量交换，并没有真正消耗能量。我们把与电源交换能量的速率的振幅值叫做无功功率。用字母Q表示。在交流电路中，电流、电压的有效值与它们的相位差φ的正弦的乘积叫做无功功率，即Q = Iusinφ功率因数----在直流电路里，电压乘电流就是有功功率。但在交流电路里，电压乘电流是视在功率，而能起到作功的一部分功率(即有功功率)将小于视在功率。有功功率与视在功率之比叫做功率因数，以COSφ表示。是反映电能利用率大小的物理量。
晶体二管（crystaldiode）固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是具有非线性的电流-电压特性。此后随着半导体材料和工艺技 术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构，研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。晶体二管在电路中常用“D”加数字表示，如: D5表示编号为5的二管。
母线的相序排列:(观察者从设备正面所见)原则如下:从左到右排列时，左侧为A相，中间为B相，右侧为C相。 从上到下排列时，上侧为A相，中间为B相，下侧为C相。 从远至近排列时，远为A相，中间为B相，近为C相。涂:A-黄，B-绿，C-红，中性线不接地紫，正-褚，负-兰，接地线-黑。直流电:用“DC”或“━”表示。是指方向和时间不作周期性变化的电流，但电流大小可能不固定，而产生波形。电荷从高电势(+)处流向低电势处(-)，所通过的电路称直流电路，是由直流电源和电阻构成的闭合导电回路。直流电源有化学电池，燃料电池，温差电池，太阳能电池，直流发电机等。