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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
e2正半周(上正下负)时，二管D1导通，D2截止，电流经过D1对C1充电，将电容Cl上的电压充到接近e2的峰值√2E2 ，并基本保持不变。e2为负半周(上负下正)时，二管D2导通，Dl截止。此时，Cl上的电压Uc1=√2E2与电源电压e2串联相加，电流经D2对电容C2充电，充电电压Uc2=e2峰值+1.2E2≈ 2√2E2。如此反复充电，C2上的电压就基本上是2√2E2 了。它的值是变压器电级电压的二倍，所以叫做二倍压整流电路。
场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。场效应管分成结型和缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。场效应管与晶体管的比较场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
作用:二管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻大或无穷大。识别方法:二管的识别很简单，小功率二管的N（负），在二管外表大多采用一种圈标出来，有些二管也用二管符号来表示P（正） 或N（负），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二管性的。发光二管的正负可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。测试注意事项:用数字式万用表去测二管时，红表笔接二管的正，黑表笔接二管的负，此时测得的阻值才是二管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。