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在半导体表面的垂直方向上加一电场时，则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动，半导体表面发生载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变，即改变外加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。
晶体三管在电路中常用“Q”加数字表示，如:Q17表示编号为17的三管。特点:晶体三管（简称三管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高 （108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、工作区域宽等优点，现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
好坏判别:①用万用表R×1KΩ挡对换表笔测称B—C和B—E，正向阻值3—9K，反向阻值∞(无穷大); ②用万用表R×10K挡对换表笔测称C—E，正向阻值30K以上，反向阻值∞(无穷大);达①②条件为好管。带阻尼型管好坏判别:①用万用表R×1Ω或R×10Ω挡对换表笔测称B—E，正向阻值均为十几至几十欧;②用万用表R×1K挡对换表笔测称C—E，正向阻值3—9K反向阻值∞(无穷大);达①②条件为好管。
当线圈通过电流时，在线圈中感应磁场，感应磁场产生感应电流以抵抗通过线圈的电流。我们称电流和线圈之间的相互作用为电感，或电感，单位为亨利（h）。它也可以用来制作电感元件。电感在电路中经常用“l“加上数字来表示。感应线圈是通过将缘导线绕在缘骨架上制成的。直流能通过线圈，直流电阻是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端会产生自感应电动势。自感应电动势的方向与施加电压的方向相反，阻碍了交换的通过。因此，电感的特征是直流阻抗。频率越高，线圈阻抗越大。