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电容器的主要参数也有两个，标称电容量和允许误差。标称电容量，指电容器上标注的电容量，电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗xc=1/2πf c(f表示交流信号的频率，c表示电容容量)识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，也分直标法、标法和数标法三种。电容的基本单位用法拉（f）表示，其它单位还有:毫法（mf）、微法（uf）、纳法（nf）、皮法（pf）。其中，1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法
当BG温度下降时:Ic↓--Vc↑--Ie↓--Ve↓，这时Vb不变，基与发射之间的偏置电压Vbe↑-- Ib↑--Ic↑--Vc↓使BG能地稳定工作。C1、C2---是输入耦合电容和输出耦合电容;作用是通过隔直通交的作用，为交流信号提供通路，并隔断前后级之间的直流电。用PNP管时电容性要接相反。C3---发射旁路电容;作用是把发射输出的交流信号旁路落地，产生交流负反馈作用，降低了BG的增益。
半导体二极管是由一个PN结焊上两根电极引线，再加上外壳封装而构成的。二极管的单向导电特性可用伏-安特性曲线表示。半导体二极管种类很多，按材料分有锗二极管，硅二极管和砷化镓二极管等；按结构分有点接触二极管和面接触二极管；按工作原理分隧道二极管，雪崩二极管，变容二极管等；按用途分有检波二极管，整流二极管，开关二极管等。
目前，小功率桥式整流电路的四只整流二管，被接成桥路后封装成一个整流器件，称"硅桥"或"桥堆"。在一些需用高电压、小电流的地方，常常使用倍压整流电路。倍压整流，可以把较低的交流电压，用耐压较低的整流二管和电容器，“整”出一个较高的直流电压。倍压整流电路一般按输出电压是输入电压的多少倍，分为二倍压、三倍压与多倍压整流电路。电路由变压器B、两个整流 二管D1、D2及两个电容器C1、C2组成。其工作原理如下: