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晶体二管（crystaldiode）固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是具有非线性的电流-电压特性。此后随着半导体材料和工艺技 术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构，研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。晶体二管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。晶体二管在电路中常用“D”加数字表示，如: D5表示编号为5的二管。
耐压:表示容量在长期工作过程中能接受的高电压值，单位:伏特(V)。代换电容时，容量一般上要相同，耐压要≥电源电压的1.414倍。容量:容量的大小就是表示能贮存电能的大小;电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)。容量单位:法拉(F)表示、毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。
电子设备中使用的保护元件有熔断电阻器，普通熔断器，热熔断器和自恢复熔断器等。保护元件一般是串接在电路中的，它在电路中出现过电流，过电压或过热等异常现象时，会立即熔断而起到保护作用，可防止故障进一步扩大。
半波整流电路:是一种简单的整流电路。它由电源变压器T、整流二管D 和电阻性负载RL组成。变压器把市电电压(多为220伏)变换为所需要的交变电压U2，D 再把交流电变换为脉动直流电。利用整流二管D的单向导电性，将大小和方向都间变化的工频交流电变换成单方向的脉动直流电的过程称为整流。整流工作原理:正半周u2瞬时性上(+)，下(-)，D正偏导通，二管和负载上有电流流过。负半周u2瞬时性上(-)，下(+)，VD反偏截止，负载上得不到电流。负载RL上电压和电流波形为u2的半个周期，故称半波整流电路。 只适用于小电流整流电路、充电使用。